OFE 铜产品
OFE-OK® C101 高纯度无氧铜
OFE-OK® 认证级高纯度铜至少具有高达101.5％ IACS 的电导率，这使其成为高要求电子应用的理想选择。其杂质含量低于 40 ppm (0.0040%)，且单项杂质均不超过 25 ppm (0.0025%)。高温下，镉、汞和锌在真空中的挥发性元素含量不超过 1 ppm。为了确保高抗氢脆性，最大氧含量限制为 5 ppm (0.0005%)。OFE-OK 认证级铜产品具有以下特性：
- C10100
- ASTM F68
- 高纯度
- 堪称最高的电导率和导热率
- 出色的可成型性和抗冲击强度
- 出色的可焊接性、可钎焊性和可软焊性
- 非常适合高真空度应用
- 不受氢脆的影响
- 极易附着的氧化皮
- 高同质性和可靠性
认证级 OFE-OK 产品采用了与普通级无氧铜不同的制造、控制和检验流程。仅选用专用的阴极铜，并且在制造期间的中段（当条件最稳定时）会产生铸锭。
诺而达 OFE-OK® 在制造过程的各个工序（铸造、挤出/锻造、拉拔）中都会进行测试，并在完成制造后再重复一次测试，以确保材料的完整性；即便是微小杂质或挤出时产生的微小缺陷都可能造成光学部件产生的光学发生散射，进而导致花费大量时间和精力后，产品被拒收。使用 OFE-OK® 可确保生产过程能够实现最高的产量。
OFE-OK 特别适用于电子行业以及其他要求苛刻的应用领域
P、Pb、S、Zn、Cd 或 Hg 等高挥发性元素的含量低，导致在高真空下的挥发性低，使认证级的 OFE-OK 非常适合电子和激光光学行业以及真空技术应用。
在真空或惰性气体炉中很容易用氢钎焊而没有氢脆真空泄漏的风险。OFE-OK 适用于所有焊接工艺，是适合电子束焊接的铜品位。
电子工业使用的玻璃铜密封需要在表面上形成一层粘附的氧化膜。如果存在微量的磷（通常用作氧化剂），则该氧化膜可能会变得不粘。为了防止这种情况，OFE-OK 中的磷含量低于 3 ppm (0.0003%) 。
OFE-OK 铜材特别适用于下列应用：
- 微波装置：速调管、磁控管、闸流管等
- X 射线管
- 真空应用，包括真空断续器和电容器
- 粒子加速器部件
- 激光镜
- 超导体和其他低温应用
- 音频电缆
| 合金 | EN | ASTM | GOST | 导电率 | 热导率 | |
| MS/m | IACS% | W/Km | ||||
| OFE-OK | CW009A | C10100 | M00б | 58.6 | 101.5 | 391 |
规范
ASTM F68《电子装置用锻制无氧铜的规格》。UNS C10100 合金。
EN 13604《铜和铜合金 — 电子管、半导体器件和真空设备用高电导率铜的制品》。EN CW009A Cu-OFE 合金
GOST 859《铜品位》。M00б 合金
ASTM B577《探测氧化亚铜（氢脆敏感度）的试验方法》
ASTM B170《无氧电解铜 — 精炼型材》
在低温下，OFE-OK 的电气和热性能优于任何其它等级铜。仅原材料的高纯度并不能证明铜具有高 RRR 值，而且杂质的平衡以及制造历史也很重要。
通过选择纯度最高的原材料并控制最有害杂质的含量和平衡，可以生产出最低 RRR 值高达 400 的 OFE-OK®，从而在低温下提供最高的导电率和热导率。较高的 RRR 值可确保低温组件的最佳性能。
诺而达在整个制造过程中全程进行微观检验，以确保每一块材料均符合 ASTM F68 的 1 级或 2 级和 EN 13604 的金相污染要求。对于铸件切割后的每个切割件，以及经过热变形后的产品或在制造的最后阶段中，均会进行 ASTM B170 检验。
诺而达可提供以下形式的 OFE-OK 铜产品
| 坯料 | 直径 178 - 850 mm |
| 饼状 | 最大 250 x 1065 mm |
| 杆状 | 直径 4.5 – 250 mm |
| 管状 | 外径 x 壁厚：3.5 x 0.6 mm，最大 750 x 150 mm |
| 线状 | 直径 1 - 25 mm |
| 锻件 | 最大 5000 kg |
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RRR 值在室温 (296 K) 下测得的电阻率与在 4.2 K下测得的值之比被称为“残余电阻率”值，即 RRR。标准品位纯铜的典型 RRR 值范围为 20 – 100，具体取决于材料纯度和加工历史。由 RRR 值为 50 的铜制成的铜导体在 4.2 K 温度下的导电率比在室温下好 50 倍。 -
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在生产流程的所有工序中测试诺而达 OFE-OK®在生产流程的所有工序中测试诺而达 OFE-OK®；铸造、挤压、拉伸，并在流程结束时再重复一次，以确保材料的完整性。在花费大量时间和精力之后，即使很小的杂质或挤出缺陷也可能导致光学组件产生的光束发生散射，从而导致被拒收。使用 OFE-OK® 可确保生产流程能够实现最高利用率。